華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院（190） 2025年碩士研究生復(fù)試工作細(xì)則 正文

根據(jù)教育部關(guān)于碩士研究生招生復(fù)試錄取的相關(guān)文件精神和學(xué)校統(tǒng)一部署，結(jié)合我院學(xué)科專業(yè)特點(diǎn)，制訂碩士研究生復(fù)試工作細(xì)則如下。

一、組織領(lǐng)導(dǎo)
根據(jù)學(xué)校有關(guān)要求，學(xué)院碩士研究生復(fù)試工作在集成電路學(xué)院研究生招生工作領(lǐng)導(dǎo)小組的領(lǐng)導(dǎo)和統(tǒng)籌安排下，組建復(fù)試小組，負(fù)責(zé)復(fù)試各環(huán)節(jié)的組織和考核工作。
學(xué)院成立監(jiān)察組，負(fù)責(zé)監(jiān)督復(fù)試相關(guān)工作規(guī)定的執(zhí)行情況，巡查復(fù)試、評(píng)卷等現(xiàn)場(chǎng)情況，監(jiān)督信息公開、公示情況，受理、調(diào)查并處理考生申訴和質(zhì)詢。
二、招生計(jì)劃及復(fù)試名單
1．根據(jù)學(xué)校下達(dá)的招生計(jì)劃，按專業(yè)分配如下：

專業(yè)代碼	專業(yè)名稱	學(xué)習(xí)方式	已接收推免人數(shù)	擬招考計(jì)劃數(shù)	上線人數(shù)	是否接收調(diào)劑
080900	電子科學(xué)與技術(shù)	全日制	25	25	25	否
140100	集成電路科學(xué)與工程	全日制	29	28	28	否
085401	新一代電子信息技術(shù)（含量子技術(shù)等）	全日制	8	21	21	否
085403	集成電路工程	全日制	78	38	53	否
備注	計(jì)劃已含國(guó)家卓越工程師學(xué)院“卓越項(xiàng)目”（專業(yè)學(xué)位）12個(gè)、某先進(jìn)技術(shù)聯(lián)培專項(xiàng)（專業(yè)學(xué)位）1個(gè)。 另有，退役大學(xué)生士兵計(jì)劃1個(gè)。

2．根據(jù)學(xué)校發(fā)布的《華中科技大學(xué)2025年碩士研究生招生考試復(fù)試基本分?jǐn)?shù)要求》以及學(xué)院劃定的復(fù)試分?jǐn)?shù)線，凡報(bào)考我院且單科和總分均達(dá)到相關(guān)學(xué)科（專業(yè)）、類別（領(lǐng)域）分?jǐn)?shù)線的考生即可進(jìn)入我院復(fù)試。專項(xiàng)計(jì)劃考生根據(jù)學(xué)校劃定分?jǐn)?shù)線入圍復(fù)試。
復(fù)試名單詳見學(xué)院網(wǎng)站“研究生教育——通知公告”欄目公告（http://ic.hust.edu.cn/yjsjy/tzgg.htm）
3．我院各專業(yè)不接收調(diào)劑。
三、復(fù)試確認(rèn)及線下報(bào)到
（一）網(wǎng)上報(bào)到及繳費(fèi)
凡進(jìn)入我院復(fù)試名單的考生，必須登錄我校研究生招生管理系統(tǒng)https://yanzhao.hust.edu.cn“碩士復(fù)試報(bào)到系統(tǒng)”模塊。
 考生須確認(rèn)復(fù)試信息，在線繳納復(fù)試費(fèi)100元/人，提交復(fù)試資格審核材料，并在線簽署《考試誠(chéng)信承諾書》。
完成繳費(fèi)后，考生務(wù)必在3月20日前上傳資格審核材料，主要包括：
1．身份證件。有效的居民身份證或港澳臺(tái)考生有效身份證明的正、反面照片（分正、反面2張圖片上傳，請(qǐng)確保邊框完整，字跡清晰可見，亮度均勻），照片上傳時(shí)須調(diào)整為橫版。
2．學(xué)歷、學(xué)籍材料。（僅限上傳1張JPG圖片或1個(gè)PDF文件）
（1）國(guó)內(nèi)學(xué)歷、學(xué)籍信息。往屆生須提交《教育部學(xué)歷證書電子注冊(cè)備案表》，應(yīng)屆生須提交《教育部學(xué)籍在線驗(yàn)證報(bào)告》（https://my.chsi.com.cn/archive/index.jsp）。
（2）在國(guó)（境）外獲得學(xué)位的，須提交教育部留學(xué)服務(wù)中心的國(guó)（境）外學(xué)歷學(xué)位認(rèn)證報(bào)告（http://zwfw.cscse.edu.cn）。目前在讀的可提供國(guó)（境）外學(xué)習(xí)相關(guān)證明。
3．個(gè)人簡(jiǎn)歷。格式不限。所有內(nèi)容請(qǐng)合并為1個(gè)PDF文件提交，可包含個(gè)人基本信息、學(xué)習(xí)經(jīng)歷、本科階段成績(jī)單（教務(wù)或檔案部門蓋章）、外語水平證明、各類獲獎(jiǎng)證書等；學(xué)術(shù)成果或?qū)W術(shù)經(jīng)歷材料（發(fā)表學(xué)術(shù)論文、畢業(yè)論文開題報(bào)告、摘要等）；工作經(jīng)歷、社會(huì)實(shí)踐、科研實(shí)踐等經(jīng)歷的證明材料。
我院將安排專人對(duì)考生提交的材料進(jìn)行線上審核。未在規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成網(wǎng)上報(bào)到者不予復(fù)試，資格審查不合格者不予復(fù)試。對(duì)個(gè)人信息或材料弄虛作假者，一經(jīng)查實(shí)，按有關(guān)規(guī)定取消報(bào)考資格、復(fù)試資格、錄取資格或?qū)W籍。
（二）現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到
學(xué)院定于2025年3月21日（周五）09:00—10:30在華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院光電信息大樓C111會(huì)議室 進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到。
請(qǐng)考生攜帶好身份證原件、準(zhǔn)考證（可在學(xué)信網(wǎng)下載）、《研究生復(fù)試思想政治品德表現(xiàn)考核表》（加蓋公章），到院系指定地點(diǎn)報(bào)到。
報(bào)到時(shí)將進(jìn)行材料核驗(yàn)、抽取面試序號(hào)等程序。如有特殊原因不能按時(shí)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到的，必須與院系提前取得聯(lián)系。逾期不聯(lián)系或院系聯(lián)系不上的，由院系安排復(fù)試順序。復(fù)試結(jié)束前，還未能到場(chǎng)的，視為放棄復(fù)試。
注：《研究生復(fù)試思想政治品德表現(xiàn)考核表》如在報(bào)到時(shí)因各種原因未能加蓋公章的，須提交個(gè)人說明，并承諾在擬錄取公示前向院系遞交符合要求的紙質(zhì)材料。

四、復(fù)試時(shí)間、形式和內(nèi)容
（一）復(fù)試方式
我校2025年碩士研究生復(fù)試采用現(xiàn)場(chǎng)方式進(jìn)行。
（二）復(fù)試環(huán)節(jié)與時(shí)間安排

日期	時(shí)間	復(fù)試環(huán)節(jié)	備注
3月21日	下午 14:30-15:30	專業(yè)理論知識(shí)測(cè)試	東十二樓202、203、204
3月22日	上午、下午	綜合素質(zhì)和能力測(cè)試 外語聽說能力測(cè)試	東九樓 A201、A202、A203、A204、A205、A206、A207、A208 候考室：B201

考核時(shí)間：2025年3月21日下午及3月22日全天（具體時(shí)間以分組、抽簽情況定）
（三）復(fù)試形式和內(nèi)容
學(xué)術(shù)學(xué)位考生復(fù)試內(nèi)容（電子科學(xué)與技術(shù)080900、集成電路科學(xué)與工程140100）
1．專業(yè)理論知識(shí)測(cè)試，采用筆試方式進(jìn)行。主要考核《半導(dǎo)體器件物理》科目的理論知識(shí)，將半導(dǎo)體器件相關(guān)科學(xué)原理與數(shù)學(xué)建模方法結(jié)合，能根據(jù)各類器件電特性要求進(jìn)行器件結(jié)構(gòu)、材料和工藝設(shè)計(jì)，考核考生是否具備相應(yīng)綜合應(yīng)用能力。
（1）參考書為《半導(dǎo)體器件物理》，徐靜平等編著，華中科技大學(xué)出版社。
（2）考試范圍為第二章（PN結(jié)）、第四章（雙極性晶體管）、第六章（MOSFET）和第七章（新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管），其中第四章和第六章是重點(diǎn)。
（3）試題包含四道題目，前三題為專業(yè)能力測(cè)試，第四題為開放性綜合能力測(cè)試。涉及畫圖作答，除中性筆外，還需自備鉛筆、尺子和橡皮，無需準(zhǔn)備計(jì)算器。
2．綜合素質(zhì)和能力測(cè)試，通過專家組面試方式進(jìn)行。主要考核考生的學(xué)術(shù)素養(yǎng)、科研創(chuàng)新能力等。
（1）考生個(gè)人介紹3-5分鐘。
介紹本科學(xué)業(yè)背景、畢業(yè)設(shè)計(jì)內(nèi)容、科研活動(dòng)或經(jīng)歷、對(duì)學(xué)科知識(shí)掌握運(yùn)用情況、對(duì)報(bào)考專業(yè)科研進(jìn)展的了解情況等。
（2）考官就考生陳述情況和相關(guān)專業(yè)知識(shí)，進(jìn)行綜合提問，考生作答。重點(diǎn)考核考生在本學(xué)科專業(yè)領(lǐng)域的科研發(fā)展?jié)摿?、?chuàng)新意識(shí)、邏輯思維能力、語言表達(dá)能力等。時(shí)間約10-12分鐘。
（3）思政考核2-3分鐘。
3．外語聽說能力測(cè)試主要通過視譯方式進(jìn)行，主要包括：
（1）個(gè)人自述2-3分鐘，介紹本科學(xué)業(yè)情況、個(gè)人特長(zhǎng)與興趣等。
（2）英語視譯3-5分鐘，將抽到的英文題目朗讀一遍并口頭翻譯成中文。
專業(yè)學(xué)位考生復(fù)試內(nèi)容（新一代電子信息技術(shù)（含量子技術(shù)等）085401、集成電路工程085403）
1.專業(yè)理論知識(shí)測(cè)試，采用筆試方式進(jìn)行。主要考核《半導(dǎo)體器件物理》科目的理論知識(shí)，將半導(dǎo)體器件相關(guān)科學(xué)原理與數(shù)學(xué)建模方法結(jié)合，要求考生能正確表達(dá)器件電特性與各影響因素之間復(fù)雜關(guān)系的工程問題。
（1）參考書為《半導(dǎo)體器件物理》，徐靜平等編著，華中科技大學(xué)出版社。
（2）考試范圍為第二章（PN結(jié)）、第四章（雙極性晶體管）、第六章（MOSFET）和第七章（新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管），其中第四章和第六章是重點(diǎn)。
（3）試題包含四道題目，前三題為專業(yè)能力測(cè)試，第四題為開放性綜合能力測(cè)試。涉及畫圖作答，除中性筆外，還需自備鉛筆、尺子和橡皮，無需準(zhǔn)備計(jì)算器。
2．綜合素質(zhì)和能力測(cè)試，通過專家組面試方式進(jìn)行。主要考核考生的綜合實(shí)踐素質(zhì)、運(yùn)用專業(yè)知識(shí)分析解決實(shí)際問題能力等。
（1）考生個(gè)人介紹3-5分鐘。
介紹本科學(xué)業(yè)背景、畢業(yè)設(shè)計(jì)內(nèi)容、實(shí)踐經(jīng)歷、科研活動(dòng)或經(jīng)歷等情況。
（2）考官就考生陳述情況和相關(guān)專業(yè)知識(shí)，進(jìn)行綜合提問，考生作答。重點(diǎn)考核考生學(xué)科專業(yè)基礎(chǔ)、研究能力、工程思維、創(chuàng)新能力、語言表達(dá)能力等。時(shí)間約10-12分鐘。
（3）思政考核2-3分鐘。
3．外語聽說能力測(cè)試主要通過視譯方式進(jìn)行，主要包括：
（1）個(gè)人自述2-3分鐘，介紹本科學(xué)業(yè)情況、個(gè)人特長(zhǎng)與興趣等。
（2）英語視譯3-5分鐘，將抽到的英文題目朗讀一遍并口頭翻譯成中文。
五、復(fù)試紀(jì)律及要求
1．考生應(yīng)自覺樹立遵章守紀(jì)、誠(chéng)實(shí)考試的意識(shí)。復(fù)試期間，考生應(yīng)自覺遵守我校考場(chǎng)規(guī)則及考生所簽署的《誠(chéng)信復(fù)試承諾書》等內(nèi)容，在所報(bào)考學(xué)院的所有專業(yè)復(fù)試全部結(jié)束前，不將復(fù)試有關(guān)資料以任何形式上傳網(wǎng)絡(luò)或泄露給他人（或機(jī)構(gòu)）。
2．考生必須按照所報(bào)考學(xué)科或方向在規(guī)定時(shí)間進(jìn)行復(fù)試，服從面試人員安排和管理，否則取消復(fù)試資格。
3．考生在等候區(qū)及復(fù)試期間不能使用電子及通訊設(shè)備。
4．復(fù)試全程進(jìn)行錄音錄像。
5．對(duì)在研究生考試招生中違反考試管理規(guī)定和考場(chǎng)紀(jì)律，影響考試公平、公正的考生一律按《中華人民共和國(guó)教育法》及《國(guó)家教育考試違規(guī)處理辦法》（教育部令第 33 號(hào)）嚴(yán)肅處理。
六、復(fù)試成績(jī)計(jì)算及待錄取原則
復(fù)試成績(jī)實(shí)行百分制，具體組成見下表。

復(fù)試成績(jī)分?jǐn)?shù)組成
復(fù)試內(nèi)容	滿分
專業(yè)理論知識(shí)測(cè)試（筆試）	40分
綜合素質(zhì)和能力測(cè)試	40分
外語聽說能力測(cè)試	20分

計(jì)算總成績(jī)時(shí)，初試成績(jī)（按“初試成績(jī)/初試滿分×100”的方式折算為百分制）占60%，復(fù)試成績(jī)占40%。
復(fù)試結(jié)束后2天內(nèi)，將按學(xué)科（電子科學(xué)與技術(shù)、集成電路科學(xué)與工程）或領(lǐng)域（工程碩士）對(duì)總成績(jī)進(jìn)行排序公示。
如總成績(jī)相同時(shí)，優(yōu)先按復(fù)試成績(jī)排序；如復(fù)試成績(jī)也相同，優(yōu)先按綜合素質(zhì)和能力測(cè)試成績(jī)排序；如綜合素質(zhì)和能力測(cè)試成績(jī)也相同，優(yōu)先按專業(yè)理論知識(shí)測(cè)試成績(jī)排序。
總成績(jī)公示時(shí)間為5天，公示網(wǎng)址為集成電路學(xué)院網(wǎng)站“研究生教育——通知公告”欄目中（http://ic.hust.edu.cn/yjsjy/tzgg.htm）。
公示期間，考生可實(shí)名向?qū)W院監(jiān)察組進(jìn)行監(jiān)督和申訴。
監(jiān)察組聯(lián)系人：張老師 電話：027-87542594
郵箱：[email protected]
公示結(jié)束無異議后，學(xué)院將向研究生院報(bào)送復(fù)試結(jié)果。復(fù)試不合格（復(fù)試總分小于60分）、思想政治品德考核不合格、報(bào)考資格不符合規(guī)定者，不予錄取。



集成電路學(xué)院
2025年3月16日

華中科技大學(xué)

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