山東大學物理學院導師：林兆軍 正文

　　姓名: 林兆軍
　　職稱: 教授
　　Email: [email protected]
　　電話: 0531-88363700
　　地址: 濟南山東大學物理學院

　　學歷
　　1980.9~1984.7: 河北大學電子系學習獲學士學位.
　　1985.9~1988.7: 河北大學電子系學習獲碩士學位. 碩士論文內容是有關激光輔助擴散制備淺結二極管和三極管研究.
　　1994.9~1997.7: 中國科學院半導體所學習獲博士學位. 博士論文內容是半導體量子點制備和性質研究.
　　
　　科研工作經歷
　　1988.9~1994.7: 河北大學電子系從事教學和科研工作.
　　1997.9~1999.9: 北京大學微電子所做博士后研究, 研究GaN電子器件的制備工藝和器件特性.
　　1999.10~2000.9: 在加拿大的McMaster University做研究，開展了InGaAsP-InP多量子阱激光器的研究工作。
　　2000.9月~2002.3: 在美國Northwestern University繼續研究工作，研究工作包括：GaInAs/AlInAs量子級聯激光、GaN基蘭激光和發光管。
　　2002.3~2003.9: 在美國Ohio State University，從事了AlGaN/GaN異質結構肖特基接觸及場效應晶體管的研制工作。
　　2003.12~現在: 山東大學物理學院工作.
　　
　　研究領域
　　AlGaN/GaN 異質結場效應晶體管研究
　　近些年來，AlGaN/GaN異質結場效應晶體管（AlGaN/GaN HFET）一直作為半導體電子器件研究領域的熱點而引起人們的廣泛關注和極大興趣。AlGaN/GaN異質結構的肖特基接觸是AlGaN/GaN HFET的重要組成部分，肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應變影響的機理至今還不清楚，而肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應變的影響將改變AlGaN/GaN異質結構二維電子氣密度等相關參數，由此對AlGaN/GaN HFET器件特性產生重要影響。我們的研究擬在通過AlGaN勢壘層面極化電荷密度的分析計算，獲取肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應變影響的信息，研究肖特基金屬電子與AlGaN勢壘層界面相互作用的機制，建立肖特基金屬對AlGaN/GaN異質結構AlGaN勢壘層應變影響的作用模型，以此推動GaN基電子器件研究的深入和發展。該研究包括器件制備、器件特性測試和器件特性分析.
　　低維半導體材料與器件研究
　　用物理或化學方法制備低維半導體材料, 通過微電子微細加工工藝將其制備成低維器件, 研究該材料體系的電子能態結構、聲子能態結構、載流子輸運及器特性.
　　SenTaurus-Device模擬分析半導體器件特性
　　利用SenTaurus-Device (業界標準器件的仿真)仿真工具，模擬分析新型半導體器件的器件特性，諸如電流-電壓（I-V）、電容-電壓（C-V）和頻率特性等.
　　
　　承擔科研項目
　　1. 國家自然科學基金項目：肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應變影響研究， 項目號：10774090, 金額：30.00萬元，研究期限：2008.01-2010.12. 項目負責人:林兆軍
　　2. 參與項目, 納米材料表面生化修飾與POPS的選擇性富 集；2007CB936602；973項目；2007年-2011年。參與者：林兆軍
　　
　　*如果發現導師信息存在錯誤或者偏差，歡迎隨時與我們聯系，以便進行更新完善。

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