天津大學碩士生導師簡介:劉昌龍 正文

 

　　姓名： 劉昌龍

　　性別： 男

　　出生年月： 1967年07月

　　籍貫：

　　職稱： 教授，博導

　　郵編：

　　辦公室電話：

　　手機：

　　家庭電話：

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　　單位： 理學院，應用物理系

　　研究方向1： 離子束材料表面改性

　　研究方向2： 固體材料中離子輻照損傷效應

　　研究方向3： 離子束在功能材料中的應用

　　簡介：

　　學習和工作經歷：

　　1985年9月—1989年7月：南京大學物理系磁學專業學習，獲理學學士學位

　　1989年8月—1999年8月：中國科學院近代物理研究所工作，研究實習員

　　1990年9月—1993年7月：中國科學院近代物理研究所攻讀碩士研究生，獲理學碩士學位

　　1993年9月—1995年8月：中國科學院近代物理研究所工作，助理研究員

　　1995年9月—1999年6月：中國科學院近代物理研究所攻讀博士研究生，獲理學博士學位

　　1999年11月—2000年10月：英國University of Surrey，訪問學者

　　2000年11月—2001年6月：中國科學院近代物理研究所工作，副研究員

　　2001年7月—2003年6月：法國國家科研中心和歐洲ST微電子公司，博士后

　　2003年7月至今：天津大學理學院應用物理系教授

　　研究成果：

　　主要參加和完成多項國家自然科學基金項目、中國科學院“八五”、“九五”重點基金項目以及多項甘肅省自然科學基金項目，以第一作者在國內外核心期刊上發表論文30余篇，其中《SCI》《EI》收錄20篇。

　　中國核物理學會會員

　　代表著作：

　　Damage Production in Silicon after High Energy Ar Ion Irradiation， Nucl. Instru. Meth. B135 （1998） 219-224.

　　Chemical Modifications in PET Films Induced by 35MeV/u Ar Ions， Nucl. Instru. Meth. B166-167 （2000） 641-645.

　　Molecular Conformation Changes of PET Films under High Energy Ar Ion Bombardment， Nucl. Instru. Meth. B169 （2000） 72-77.

　　Study of Effects in Polyethylene Terephthalate Films Induced by High Energy Ar Ion Irradiation， Nucl. Instru. Meth. B169 （2000） 78-82.

　　The Evolution of Cavities in Si co-implanted with Si and He Ions， Mater， Sci. & Eng. B102 （2003） 75-79.

　　The Role of a Top Oxide Layer in Cavities Formed by MeV He Implantation into Silicon， European Physics： J. Appl. Phys. 23 （2003） 45-48.

　　獲獎情況：

　　2002年榮獲甘肅省科技進步二等獎

　　講授課程：

　　大學物理，核技術分析，粒子與固體相互作用物理學，物理實驗

　　正在承擔項目：

　　天津大學人才引進啟動基金項目“He離子注入單晶Si引起的氣泡形成生長及其應用研究”

　　已完成項目：

　　主要參加和完成多項國家自然科學基金項目、中國科學院“八五”、“九五”重點基金項目以及多項甘肅省自然科學基金項目

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